IRF100P219AKMA1
Active - MOSFET N-CH 100V TO247AC
Opis:
MOSFET N-CH 100V TO247AC
IRF100P219AKMA1 Specyfikacja
Atrybut Produktu
Wartość Atrybutu
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły drenaż (id) @ 25℃
203A (Tc)
Napięcie napędu (maks. rds. włączone, min. rds. włączone)
6V, 10V
Rds Włączone (maks.) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 278μA
Opłata bramki (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
12020 pF @ 50 V
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.8W (Ta), 341W (Tc)
Temperatura pracy
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO247-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3
IRF100P219AKMA1 Inwentaryzacja: 1470
5.0 / 5.0
2021-11-23 06:50
Wszystko w porządku, dziękuję!
2021-12-23 03:52
Dobrze. Otrzymane w odpowiednim czasie
2021-02-06 23:42
Przyjęte perfekcyjnie. Zespawałem jednostkę na odpowiadającej jej płytce drukowanej, która idealnie zastąpiła wadliwą jednostkę na płycie Arduino Nano.
2021-08-04 23:28
Dostawa za 2 tygodnie. Chipy działają dobrze
2021-11-04 06:37
Odpowiada mojemu zastosowaniu
Netherlands
