Kategorie
Nowości
Kontrola Jakości
Opinii
Strona Główna
/
Układy Scalone (IC)
/
Pamięć
/ Samsung Semiconductor K4E6E304EB-EGCG
K4E6E304EB-EGCG
EOL - IC DRAM LPDDR3 16 Gb 2133 Mbps
Producent:
Samsung Semiconductor
Część Mfr #
K4E6E304EB-EGCG
Kategoria:
Pamięć
Arkusz danych:
K4E6E304EB-EGCG
Opis:
IC DRAM LPDDR3 16 Gb 2133 Mbps
K4E6E304EB-EGCG Specyfikacja
Atrybut Produktu
Wartość Atrybutu
Kategoria
Pamięć
Producent
Samsung Semiconductor
Seria
-
Opakowanie
Tray
Status Produktu
EOL
Typ pamięci
Volatile
Format pamięci
DRAM
Technologia
LPDDR3
Rozmiar pamięci
16 Gb
Organizacja pamięci
x32
Interfejs pamięci
Parallel
Częstotliwość zegara
-
Czas cyklu zapisu — Word, Strona
-
Czas dostępu
-
Napięcie - Zasilanie
1.8 / 1.2 / 1.2 V
Temperatura pracy
-25 ~ 85 ℃
Typ mocowania
Surface Mount
Pakiet / Walizka
178 FBGA
Pakiet urządzeń dostawcy
178 FBGA
K4E6E304EB-EGCG Inwentaryzacja: 16140
Historia Cena
0
5.0 / 5.0
Hugo
Spain
2021-12-23 03:52
Dobrze. Otrzymane w odpowiednim czasie
Felipe Soto
Spain
2021-02-06 23:42
Przyjęte perfekcyjnie. Zespawałem jednostkę na odpowiadającej jej płytce drukowanej, która idealnie zastąpiła wadliwą jednostkę na płycie Arduino Nano.
Katharina Schneider
Germany
2021-08-04 23:28
Dostawa za 2 tygodnie. Chipy działają dobrze
Paul Roy
France
2021-11-04 06:37
Odpowiada mojemu zastosowaniu
Laura Cristina
Spain
2021-07-11 09:01
Testowany, działa zgodnie z oczekiwaniami.
K4E6E304EB-EGCG Części Powiązane
K4E8E324EB-EGCG
Samsung Semiconductor
K4E6E304EC-EGCG
Samsung Semiconductor
K4EBE304EC-EGCG
Samsung Semiconductor
K4E6E304ED-EGCG
Samsung Semiconductor
K4E6E304EB-EGCG
Samsung Semiconductor
K4EBE304EB-EGCG
Samsung Semiconductor
K4E8E324ED-EGCG
Samsung Semiconductor
K4EBE304ED-EGCG
Samsung Semiconductor
Zapytanie ofertowe
Numer części *
Producent
Osoba kontaktowa *
Adres e-mail *
Ilość *
Kraj dostawy *