HS3M
Active - DIODE GEN PURP 3A DO214AB
Opis:
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
HS3M Specyfikacja
Atrybut Produktu
Wartość Atrybutu
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Napięcie - odwrócone DC (Vr) (maks.)
-
Prąd - Średnia skorygowana (Io)
3A
Napięcie - Do przodu (Vf) (Max) @ If
-
Prędkość
Fast Recovery = 200mA (Io)
Odwrotny czas odzyskiwania (trr)
75 ns
Prąd - upływ wsteczny @ Vr
10 μA @ 1000 V
Pojemność @ Vr, F
50pF @ 4V, 1MHz
Typ mocowania
Surface Mount
Pakiet / Walizka
DO-214AB, SMC
Pakiet urządzeń dostawcy
DO-214AB (SMC)
Temperatura robocza - Złącze
-55 ℃ ~ 150 ℃
HS3M Inwentaryzacja: 43430
5.0 / 5.0
2021-08-12 12:06
Tranzystory IGBT nie wykrywały SA dla testerach obok plus t7-h, in tescie dla przeładowania z 12V dla E plus zasilane zarowką 12V dla palca wyzwalanego C z Plus, zalancza with-wylancza. Bardzo szybka wysylka, szybka dostawa, produkt dobry jakościowo, bardzo my
2021-12-31 23:06
Dobry produkt i działają poprawnie.
2021-07-09 02:45
Dobrze przyjęte, jeszcze nieprzetestowane
2021-12-03 00:22
Zamawiam 10 części. Teraz testuj trzy chipy, a dwa to ID 0x441, co jest STM32F412, a nie STM32F407. Jestem bardzo rozczarowany.
2021-12-27 06:22
Towar jest bardzo zadowolony, sprzedawca bardzo dziękuję.
Poland
