E4D20120G
Active - DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-2
Opis:
DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-2
E4D20120G Specyfikacja
Atrybut Produktu
Wartość Atrybutu
Seria
E-Series, Automotive
Typ diody
Silicon Carbide Schottky
Napięcie - odwrócone DC (Vr) (maks.)
1200 V
Prąd - Średnia skorygowana (Io)
56A
Napięcie - Do przodu (Vf) (Max) @ If
1.8 V @ 20 A
Prędkość
No Recovery Time >500mA (Io)
Odwrotny czas odzyskiwania (trr)
0 ns
Prąd - upływ wsteczny @ Vr
200 μA @ 1200 V
Pojemność @ Vr, F
1474pF @ 0V, 1MHz
Typ mocowania
Surface Mount
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263-2
Temperatura robocza - Złącze
-55 ℃ ~ 175 ℃
E4D20120G Inwentaryzacja: 6480
5.0 / 5.0
2021-06-10 07:32
Recu za 89 dni, rozbierać się, do testu
2021-11-23 06:50
Wszystko w porządku, dziękuję!
2021-12-23 03:52
Dobrze. Otrzymane w odpowiednim czasie
2021-02-06 23:42
Przyjęte perfekcyjnie. Zespawałem jednostkę na odpowiadającej jej płytce drukowanej, która idealnie zastąpiła wadliwą jednostkę na płycie Arduino Nano.
2021-08-04 23:28
Dostawa za 2 tygodnie. Chipy działają dobrze
France
