Kategorie
Nowości
Kontrola Jakości
Opinii
Strona Główna  /  Półprzewodniki Dyskretne  /  Tranzystory - FET, MOSFET - RF  /  Integra Technologies IGN1011L1200

IGN1011L1200

Active Icon Active - GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
IGN1011L1200
IGN1011L1200
Integra Technologies
Część Mfr #
Arkusz danych:
Opis:
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
 
3D Model Icon

IGN1011L1200 Specyfikacja

Atrybut Produktu
Wartość Atrybutu
Seria
-
Opakowanie
Tray
Status Produktu
Active
Typ tranzystora
HEMT
Częstotliwość
1.03GHz ~ 1.09GHz
Wzmocnienie
16.8dB
Napięcie - Test
50 V
Prąd znamionowy (ampery)
-
Wskaźnik hałasu
-
Prąd - Test
160 mA
Moc - Wyjście
1250W
Napięcie - znamionowe
180 V
Typ mocowania
-
Pakiet / Walizka
PL84A1
Pakiet urządzeń dostawcy
PL84A1

IGN1011L1200 Inwentaryzacja: 39830

Historia Cena
$914.14000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Danuta Krawczyk
Location Icon Poland
5 stars
2021-08-12 12:06
Tranzystory IGBT nie wykrywały SA dla testerach obok plus t7-h, in tescie dla przeładowania z 12V dla E plus zasilane zarowką 12V dla palca wyzwalanego C z Plus, zalancza with-wylancza. Bardzo szybka wysylka, szybka dostawa, produkt dobry jakościowo, bardzo my
Author Icon
Charles Reed
Location Icon United States
5 stars
2021-12-31 23:06
Dobry produkt i działają poprawnie.
Author Icon
Quentin Giraud
Location Icon France
5 stars
2021-07-09 02:45
Dobrze przyjęte, jeszcze nieprzetestowane
Author Icon
Jukka Laakso
Location Icon Finland
5 stars
2021-12-03 00:22
Zamawiam 10 części. Teraz testuj trzy chipy, a dwa to ID 0x441, co jest STM32F412, a nie STM32F407. Jestem bardzo rozczarowany.
Author Icon
Kęstutis Darius
Location Icon Lithuania
5 stars
2021-12-27 06:22
Towar jest bardzo zadowolony, sprzedawca bardzo dziękuję.

IGN1011L1200 Części Powiązane

IGN1214L500B
IGN0912LM500
IGN1011L1200
IGN1011L70
IGN1214M300
IGN2729M400R2
Zapytanie ofertowe
Numer części *
Producent
Osoba kontaktowa *
Adres e-mail *
Ilość *
Kraj dostawy *