Kategorie
Nowości
Kontrola Jakości
Opinii
Strona Główna  /  Półprzewodniki Dyskretne  /  Tranzystory - FET, MOSFET - RF  /  Integra Technologies IGN1011L70

IGN1011L70

Active Icon Active - GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
IGN1011L70
IGN1011L70
Integra Technologies
Część Mfr #
Arkusz danych:
Opis:
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
 
3D Model Icon

IGN1011L70 Specyfikacja

Atrybut Produktu
Wartość Atrybutu
Seria
-
Opakowanie
Bulk
Status Produktu
Active
Typ tranzystora
GaN HEMT
Częstotliwość
1.03GHz ~ 1.09GHz
Wzmocnienie
22dB
Napięcie - Test
50 V
Prąd znamionowy (ampery)
-
Wskaźnik hałasu
-
Prąd - Test
22 mA
Moc - Wyjście
80W
Napięcie - znamionowe
120 V
Typ mocowania
-
Pakiet / Walizka
PL32A2
Pakiet urządzeń dostawcy
PL32A2

IGN1011L70 Inwentaryzacja: 9760

Historia Cena
$222.00000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Charles Reed
Location Icon United States
5 stars
2021-12-31 23:06
Dobry produkt i działają poprawnie.
Author Icon
Quentin Giraud
Location Icon France
5 stars
2021-07-09 02:45
Dobrze przyjęte, jeszcze nieprzetestowane
Author Icon
Jukka Laakso
Location Icon Finland
5 stars
2021-12-03 00:22
Zamawiam 10 części. Teraz testuj trzy chipy, a dwa to ID 0x441, co jest STM32F412, a nie STM32F407. Jestem bardzo rozczarowany.
Author Icon
Kęstutis Darius
Location Icon Lithuania
5 stars
2021-12-27 06:22
Towar jest bardzo zadowolony, sprzedawca bardzo dziękuję.
Author Icon
Justine Perrin
Location Icon France
5 stars
2021-06-10 07:32
Recu za 89 dni, rozbierać się, do testu

IGN1011L70 Części Powiązane

IGN1214L500B
IGN0912LM500
IGN1011L1200
IGN1011L70
IGN1214M300
IGN2729M400R2
Zapytanie ofertowe
Numer części *
Producent
Osoba kontaktowa *
Adres e-mail *
Ilość *
Kraj dostawy *